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    TH511 半導體C-V特性分析儀簡介

    更新時間:2023-08-08      點擊次數:228
    • 簡介

    • TH510系列半導體C-V特性分析儀是常州同惠電子根據當前半導體功率器件發展趨勢,針對半導體材料及功率器件設計的分析儀器。

      儀器采用了一體化集成設計,二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導體功率器件寄生電容、CV特性可一鍵測試,無需頻繁切換接線及設置參數,單管功率器件及模組功率器件均可一鍵快速測試,適用于生產線快速測試、自動化集成。

      CV曲線掃描分析能力亦能滿足實驗室對半導體材料及功率器件的研發及分析。

      儀器設計頻率為1kHz-2MHz,VGS電壓可達±40V,VDS電壓可達±200V/±1500V/±3000V,足以滿足大多數功率器件測試。

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      功能特點

       

      A.一體化測試,集成度高、體積小、效率高

      一臺儀器內置了LCR數字電橋、VGS電壓源、VDS電壓源、高低壓切換矩陣以及上位機軟件,將復雜的接線、繁瑣的操作集成在支持電容式觸摸的Linux系統內,操作更簡單。特別適合產線快速化、自動化測試。

      B.單管器件測試,10.1寸大屏,四種寄生參數同屏顯示,讓細節一覽無遺

      MOSFET或IGBT最重要的四個寄生參數:Ciss、Coss、Crss、Rg,Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測試,10.1寸大屏可同時將測量結果、等效電路圖、分選結果等重要參數同時顯示,一目了然。

      一鍵測試單管器件器件時,無需頻繁切換測試腳位、測量參數、測量結果,大大提高了測試效率。

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      C.列表測試,多個、多芯、模組器件測量參數同屏顯示

      TH510系列半導體C-V特性分析儀支持最多6個單管器件、6芯器件或6模組器件測試,所有測量參數通過列表掃描模式同時顯示測試結果及判斷結果。

      D.曲線掃描功能(選件)

      在MOSFET的參數中,CV特性曲線也是一個非常重要的指標,如下圖

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      TH510系列半導體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析,可以以對數、線性兩種方式實現曲線掃描,可同時顯示多條曲線:同一參數、不同Vg的多條曲線;同一Vg、不同參數多條曲線。

      E.接觸檢查(Contact)功能,提前排除自動化測試隱患

      F.快速通斷測試(OP_SH),排除損壞器件

      在半導體器件特性測試時,由于半器件本身是損壞件,特別是多芯器件其中一個芯已經損壞的情況下,測試雜散電容仍有可能被為合格,而半導體器件的導通特性才是最重要的特性。

      因此,對于本身導通特性不良的產品進行C-V特性測試是沒有必要的,不僅僅浪費了測量時間,同時會由于C-V合格而混雜在良品里,導致成品出貨后被退回帶來損失.

      TH510系列半導體C-V特性分析儀提供了快速通斷測試(OP_SH)功能,可用于直接判斷器件本身導通性能。

      G.模組式器件設置,支持定制

      針對模組式器件如雙路(Dual)MOSFET、多組式IGBT,有些器件會有不同類型芯片混合式封裝;TH510系列CV特性分析儀針對此情況做了優化,常見模組式芯片Demo已內置,特殊芯片支持定制.

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      H.簡單快捷設置

      I.10檔分選及可編程HANDLER接口

      J.支持定制化,智能固件升級方式

      同惠儀器對于客戶而言是開放的,儀器所有接口、指令集均為開放設計,客戶可自行編程集成或進行功能定制,定制功能若無硬件更改,可直接通過固件升級方式更新。

      儀器本身功能完善、BUG解決、功能升級等,都可以通過升級固件(Firmware)來進行更新,而無需返廠進行。

      固件升級非常智能,可以通過系統設置界面或者文件管理界面進行,智能搜索儀器內存、外接優盤甚至是局域網內升級包,并自動進行升級

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      K.技術解決Ciss、Coss、Crss、Rg產線/自動化系統高速測試精度

      同惠電子在電容測試行業近30年的經驗積累,得以在產線、自動化測試等高速高精度測試場合,都能保證電容、電阻等測試精度。

      常規產線測試,提供標準0米測試夾具,直插器件可直接插入進行測試,Ciss、Coss、Crss、Rg測試精度高。

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      針對自動化測試,由于自動化設備測試工裝通常需要較長連接線,大多自動化設備生產商在延長測試線時會帶來很大的精度偏差,為此,同惠設計了2米延長線并內置了2米校準,保證Ciss、Coss、Crss、Rg測試精度和0米測試夾具一致。

      L.半導體元件寄生電容知識

      在高頻電路中,半導體器件的寄生電容往往會影響半導體的動態特性,所以在設計半導體元件時需要考慮下列因數

      在高頻電路設計中往往需要考慮二極管結電容帶來的影響;MOS管的寄生電容會影響管子的動作時間、驅動能力和開關損耗等多方面特性;寄生電容的電壓依賴性在電路設計中也是至關重要,以MOSFET為例。

      M.標配附件

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    • 應用

    •  半導體元件/功率元件

      二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光

      電子芯片等寄生電容測試、C-V特性分析

       半導體材料

      晶圓切割、C-V特性分析

       液晶材料

      彈性常數分析

      電容元件

      電容器C-V特性測試及分析,電容式傳感器測試分析

     

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