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    光隔離探頭 氮化鎵GaN半橋上管測試

    更新時間:2023-03-24      點擊次數:233
    測試背景


    地點:
    國外某品牌半導體企業,深圳氮化鎵實驗室
    測試對象:
    氮化鎵半橋快充
    測試原因:


    因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管,需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試


    測試探頭:
    麥科信OIP系列光隔離探頭
    現場條件
    因該氮化鎵快充PCBA設計密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是方案的同軸延長線連接(通常推薦采用MCX母座連接,可最大限度減少引線誤差)。
    現場連接圖如下:



    圖片


    ▲圖1:接線


    現場測試步驟
    1.將探頭連接10X衰減器,并將衰減器插入同軸延長線;
    2.將OIP探頭連接示波器第4通道并開機;
    3.將示波器對應通道衰減比設置10X,將輸入電阻設置為50Ω;


    4.給目標板上電;


    圖片


    ▲圖2:測試場景1


    圖片


    ▲圖3:測試場景2


    測試結果
    1.Vgs控制電壓5.1V左右,信號光滑無任何畸變;
    2.上管關斷瞬間負沖0.5V左右,在氮化鎵器件安全范圍;
    3.下管關斷瞬間引起的負沖在2.2V左右,在氮化鎵器件安全范圍;
    4.Vgs信號上升時間240ns左右。


    (以上數據通過截屏讀數)


    圖片



    ▲圖4:測試結果截屏
    結論
    1.目標板設計合理,Vgs控制信號近乎可以;
    2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩,共模干擾被全抑制;
    3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs,沒有引起炸管。



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